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Título

Emission properties of single InAs/GaAs quantum dot pairs and molecules grown in GaAs nanoholes

AutorMuñoz-Matutano, G.; Canet-Ferrer, J.; Alonso-González, Pablo ; Alén, Benito ; Fernández-Martínez, Iván ; Martín-Sánchez, Javier; Fuster, David ; Martínez-Pastor, Juan; González Díez, Yolanda ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; González Sotos, Luisa
Palabras claveQuantum dot molecules
Droplet epitaxi
Microphotoluminiscence
Fecha de publicación2010
EditorInstitute of Physics Publishing
CitaciónJournal of Physics: Conference Series 210(1): 012028 (2010)
ResumenWe have studied the lateral coupling between InAs/GaAs quantum dot pairs embedded in a field-effect structure. Quantum dot pairs and molecules have been identified by the correlated evolution of the Coulomb blockade features of each QD in the pair. This behaviour is largely distorted in the presence of resonant coupling states in the QD molecule. Single QD voltage evolution shows a crossover in the lineshape profile, which is associated to Spectral Diffusion processes due to residual charged environment.
DescripciónTrabajo presentado a la "11th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems" (OECS), celebrada en en Madrid (España) del 7 al 11 de Septiembre de 2009.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/210/1/012028
URIhttp://hdl.handle.net/10261/22854
DOI10.1088/1742-6596/210/1/012028
ISSN1742-6588
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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