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Título

Ferromagnetism in wide band gap materials: Mn-ZnO and Mn-Si3N4 thin films.

Otros títulosFerromagnetismo en materiales de gap ancho: láminas delgadas de Mn-ZnO y Mn-Si3N4.
AutorCéspedes, Eva
DirectorPrieto de Castro, Carlos
Palabras claveSemiconductores de gap ancho
Semiconductores magnéticos diluidos
DMS
Oxidos ferromagnéticos
Nitruros ferromagnéticos
Multicapas
Láminas delgadas
Sputtering
XAS
XANES
EXAFS
Semiconductores II-VI
Nitruro de manganeso
Nanopartículas de Au
Wide band gap semiconductors
Diluted magnetic semiconductors
Ferromagnetic oxides
Ferromagnetic nitrides
Multilayers
Thin films
II-VI Semiconductors
MnZnO
Gold nanoparticles
Interfaces
Mn3N2
Mn oxidation state
Manganese nitride
Intercaras
Estado de oxidación del Mn
Fecha de publicación31-mar-2010
Resumen[ES] El trabajo presentado en esta memoria de Tesis Doctoral se centra en el estudio del ferromagnetismo en materiales de gap ancho preparados en forma de lámina delgada mediante la técnica de sputtering. La primera parte de la memoria está dedicada al estudio del sistema Mn-ZnO. Se analizan varios factores relacionados con el ordenamiento ferromagnético del sistema, como el papel que juegan las distintas intercaras y el efecto de la oxidación o reducción del manganeso durante el proceso de crecimiento. En la segunda parte de la memoria se investiga el sistema Mn-Si3N4, que ha sido estudiado por primera vez en este trabajo y en el que se ha observado ferromagnetismo a temperatura ambiente. El origen del ferromagnetismo en este sistema se ha explicado por la existencia de una fase de tipo Mn3N2 ligeramente distorsionada. Finalmente, el trabajo se completa con el estudio de la formación de nanopartículas de Au en ambas matrices, ZnO and Si3N4.
[EN] This dissertation is the result of a four-year doctorate on the ferromagnetism of Mn-based wide band gap thin film materials prepared by sputtering, performed at the Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM) under the supervision of Prof. Carlos Prieto. The first part of this work is aimed at the study of the Mn-ZnO system. The interface-related properties as well as the influence of the particular manganese oxidation process during growth in the ferromagnetism of this system are analysed. The second part deals with the novel Mn-Si3N4 system, which has been firstly studied here, reporting room temperature ferromagnetism. The origin of its ferromagnetism is ascribed to the stabilization of a slightly distorted Mn3N2 phase, one of the main contributions of this research. Finally, the work is completed with investigations of the Au nanoparticles growth in both ZnO and Si3N4 matrix materials.
DescripciónTesis Doctoral elaborada en el Departamento de Materiales para las Tecnologías de la Información del Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC) y presentada en el Departamento de Física de Materiales de la Facultad de Ciencias Físicas de la Universidad Autónoma de Madrid el 30 de octubre de 2009.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/22712
Aparece en las colecciones: (ICMM) Tesis
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