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Título

Characterization of SnTe-doped InP grown by solid-source atomic layer molecular beam epitaxy

AutorPostigo, Pablo Aitor ; Dotor, María Luisa ; García-Pérez, Fernando ; Golmayo, Dolores ; Briones Fernández-Pola, Fernando
Fecha de publicaciónnov-2000
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónJournal of Applied Physics 89(4): 2447 (2000)
ResumenSnTe-doped InP layers were grown at low temperature by solid-source atomic layer molecular beam epitaxy. The samples were characterized by Hall measurements versus temperature, low temperature photoluminescence, x-ray diffraction, and secondary ion mass spectroscopy. The temperature of the SnTe effusion cell was varied from 320 to 440 °C, and the free electron concentration measured at room temperature ranged between 2.0×1016 cm−3 and 5.6×1018 cm−3 with the corresponding Hall mobility varying from 2320 to 1042 cm2/V s.
Descripción5 pages, 7 figures.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.1337599
URIhttp://hdl.handle.net/10261/22308
DOI10.1063/1.1337599
ISSN0021-8979
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