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Electronic signature of MnAs phases in bare and buried films grown on GaAs(001)

AutorMoreno, M. ; Kumar, A.; Tallarida, M.; Ney, A.; Ploog, K. H.
Palabras claveArsenic alloys
Ferromagnetic materials
Gallium arsenide
III-V semiconductors
Magnetic thin films
Manganese alloys
Fecha de publicación15-ago-2008
EditorAmerican Vacuum Society
CitaciónJournal of Vacuum Science and Technology - Section B 26(4): 1530-1533 (2008)
ResumenPhotoelectron emission spectroscopy analyses of the arsenic bonding in the near-surface region of an initially arsenic-capped MnAs (100) film grown on GaAs(001) have been carried out for progressive thermal decapping stages. Electronically distinct As-bonding states are identified and assigned to bulk MnAs phases, bulk arsenic, and interfacial environments. The arsenic coating imposes mechanical constraints to the MnAs film, in addition to those imposed by the GaAs substrate, which appear to alter the relative stability of the and MnAs phases around room temperature.
Descripción4 pages.-- PACS: 68.55.A-; 75.70.Cn; 75.50.Cc; 79.60.-i; 82.80.Pv; 71.20.Gj
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1116/1.2957614
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
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