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Título

Critical size for localization of the L-like conduction states in InAs quantum dots grown on GaAs

AutorPrieto, J. A.; Armelles Reig, Gaspar ; García Martínez, Jorge Manuel ; González Sotos, Luisa ; San Paulo, Álvaro ; García García, Ricardo
Palabras claveIndium compounds
Semiconductor quantum dots
III-V semiconductors
Optical properties
Fecha de publicación15-may-2000
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 76(20): 2919 (2000)
ResumenThe localization of the L-like conduction states is found to change from the islands to the substrate in InAs quantum dots grown on GaAs as the island-size decreases. This is due to a size-induced modification of the strain state of the islands. The critical size should correspond to dislocation formation. As a result, small InAs islands coherently strained to GaAs exhibit optical properties markedly different from those of bulk InAs.
Descripción3 pages, 5 figures.-- PACS: 73.20.Dx; 81.05.Ea; 73.20.Fz; 68.65.+g; 85.30.Vw; 78.66.Fd; 61.72.Hh; 61.46.+w; 71.24.+q; 81.05.Ys
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.126855
URIhttp://hdl.handle.net/10261/21728
DOI10.1063/1.126855
ISSN0003-6951
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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