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Título

Identification of ternary boron–carbon–nitrogen hexagonal phases by x-ray absorption spectroscopy

AutorGago, Raúl ; Jiménez Guerrero, Ignacio ; Albella, J. M. ; Terminello, Louis J.
Palabras claveBoron compounds
XANES
Semiconductor thin films
Semiconductor materials
Fecha de publicación28-may-2001
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 78(22): 3430 (2001)
ResumenBoron carbon nitride (BCN) films have been grown by B4C evaporation with concurrent N ion assistance, and have been characterized by x-ray absorption near edge (XANES) spectroscopy. Upon the nitrogen insertion, the film structure evolves from BxC-like to h-BN-like. The hexagonal structure corresponds to a true ternary BCN compound that can be understood as h-BN with carbon incorporated in substitutional sites. The C(1s)XANES presents (pi*) states characteristic of the BCN arrangement. The basal planes of the h-BCN phase are oriented perpendicular to the substrate, as derived from the angle dependence of the XANES signal.
Descripción3 pages, 3 figures.-- PACS: 68.55.Nq; 61.10.Ht; 78.70.Dm
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.1376428
URIhttp://hdl.handle.net/10261/21604
DOI10.1063/1.1376428
ISSN0003-6951
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
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