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Título

Transition from self-organized InSb quantum-dots to quantum dashes

AutorUtzmeier, T.; Postigo, Pablo Aitor ; Tamayo de Miguel, Francisco Javier ; García García, Ricardo ; Briones Fernández-Pola, Fernando
Fecha de publicación28-oct-1996
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 69(18): 2674 (1996)
ResumenWe have grown self-organized InSb quantum dots on semi-insulating InP (001) substrates by molecular beam epitaxy. We studied the size dependency of the uncapped InSb quantum dots on the nominal thickness of the deposited InSb by atomic force microscopy. The dot sizes have a pronounced minimum at about 2.2 monolayers of InSb. After a nominal thickness of 3.2 monolayers we observe a drastic change of the dot shape, from quantum dots to quantum dashes. From there on the dots grow in a quasicylindric shape aligned in the (110) direction.
Descripción3 pages, 4 figures.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.117674
URIhttp://hdl.handle.net/10261/21538
DOI10.1063/1.117674
ISSN0003-6951
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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