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Título

Segregation and trapping of erbium during silicon molecular beam epitaxy

AutorSerna, Rosalía ; Lohmeier, M.; Zagwijn, P. M.; Vlieg, E.; Polman, A.
Fecha de publicación13-mar-1995
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 66(11): 1385 (1995)
ResumenErbium surface segregation is observed during growth of Er-doped Si by molecular beam epitaxy on Si(100) at 600 °C. Once a critical Er surface areal density of 2 × 1014 Er/cm2 is reached, enhanced Er trapping is observed, possibly due to the formation of silicide precipitates. Er segregation on Si(100) is fully avoided when growth is performed in an oxygen background pressure of ~ 10 – 10 mbar, due to the formation of Er-O complexes. No Er segregation is observed on Si(111), which is attributed to the formation of epitaxial Er3Si5 precipitates.
Descripción3 pages, 4 figures.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.113209
URIhttp://hdl.handle.net/10261/21170
DOI10.1063/1.113209
ISSN0003-6951
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