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Título

Orientation of graphitic planes during the bias-enhanced nucleation of diamond on silicon: An x-ray absorption near-edge study

AutorJiménez Guerrero, Ignacio ; García Hernández, M. ; Albella, J. M. ; Terminello, Louis J.
Fecha de publicación16-nov-1998
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 73(20): 2911 (1998)
ResumenThe bias-enhanced nucleation of diamond on Si(100) is studied by angle-dependent x-ray absorption near-edge spectroscopy (XANES). During diamond nucleation, a graphitic phase is also detected. The angle dependence of the XANES signal shows that the graphitic basal planes are oriented perpendicular to the surface. Implications of this result on the mechanism of bias-enhanced nucleation are discussed.
Descripción3 pages, 2 figures.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.122627
URIhttp://hdl.handle.net/10261/21070
DOI10.1063/1.122627
ISSN0003-6951
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
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