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Título

Roughening kinetics of chemical vapor deposited copper films on Si(100)

AutorVázquez, Luis ; Albella, J. M. ; Salvarezza, R. C.; Arvia, A. J.; Levy, Roi; Perese, D.
Fecha de publicación26-feb-1996
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 68(9): 1285 (1996)
ResumenThe roughening kinetics of copper films synthesized by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) on Si(100) substrates was investigated by scanning tunneling microscopy (STM). By applying the dynamic scaling theory to the STM images, a steady growth roughness exponent (alfa)=0.81 ± 0.05 and a dynamic growth roughness exponent (beta)=0.62 ± 0.09 were determined. The value of (alfa) is consistent with growth model predictions incorporating surface diffusion. The value of (beta), while higher than expected from these models, can be related to LPCVD processing conditions favoring growth instabilities.
Descripción3 pages, 3 figures.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.115954
URIhttp://hdl.handle.net/10261/21041
DOI10.1063/1.115954
ISSN0003-6951
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
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