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Título

Electronic states in arsenic-decapped MnAs (1100) films grown on GaAs(001): A photoemission spectroscopy study

AutorMoreno, M. ; Kumar, A.; Tallarida, M.; Horn, K.; Ney, A.; Ploog, K. H.
Fecha de publicación26-feb-2008
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 92(8): 084103 (2008)
ResumenWe examine the arsenic bonding in the near-surface region of initially arsenic-capped MnAs(1100) films grown on GaAs(001) as it evolves upon arsenic decapping. Line-shape analyses of high-resolution As 3d photoelectron emission spectra recorded at room temperature RT allow us to identify electronically distinct As-bonding states associated to bulk MnAs phases, bulk arsenic, and interfacial environments. Stable MnAs phases appear to be affected by the presence of a thin arsenic coating, an effect that could be advantageously used to enhance the ferromagnetic properties of MnAs films around RT
Descripción3 pages, 2 figures.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.2888953
URIhttp://hdl.handle.net/10261/20994
DOI10.1063/1.2888953
ISSN0003-6951
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
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