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Título

Dilute (In,Ga)(As,N) thin films grown by molecular beam epitaxy on (100) and non-(100) GaAs substrates: a Raman-scattering study

AutorIbáñez Insa, Jordi ; Alarcón-Lladó, Esther ; Cuscó, Ramón ; Artús, Lluís ; Henini, Mohamed; Hopkinson, Mark
Fecha de publicaciónene-2009
EditorSpringer
CitaciónJournal of Materials Science - Materials in Electronics J Mater Sci: Mater Electronics 20: S116–S119(2009)
ResumenWe use Raman scattering to investigate a series of In x Ga1–x As1–y N y epilayers (x ∼ 20% and y ∼ 3%) coherently grown on (100) and on (N11) GaAs substrates (N = 1, 3, 4, and 5). We use biaxial-strain theory to evaluate the effect of N alloying on the frequency of the GaAs-like phonon optical modes of dilute InGaAsN. We find that N alloying reduces the TO–LO splitting of the GaAs-like modes. We investigate the effect of substrate orientation on the N-related vibrational modes. Our results suggest that the growth direction does not affect substantially the local bonding of N atoms in InGaAsN.
Versión del editorhttp://www.springerlink.com/content/nn702m6tv604ph20/fulltext.html
URIhttp://hdl.handle.net/10261/20968
DOI10.1007/s10854-007-9462-7
ISSN0957-4522 (Print)
1573-482X (Online)
Aparece en las colecciones: (ICTJA) Artículos
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