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Título

Tunnel magnetoresistance in GaMnAs: Going beyond Jullière formula

AutorBrey, Luis ; Tejedor, C.; Fernández Rossier, J.
Fecha de publicación13-sep-2004
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 85(11): 1996 (2004)
ResumenThe relation between tunnel magnetoresistance (TMR) and spin polarization is explored for GaMnAs/GaAlAs/GaMnAs structures where the carriers experience strong spin–orbit interactions. TMR is calculated using the Landauer approach. The materials are described in the 6 band k·p model which includes spin–orbit interaction. Ferromagnetism is described in the virtual crystal mean field approximations. Our results indicate that TMR is a function of spin polarization and barrier thickness. As a result of the stong spin–orbit interactions, TMR also depends on the the angle between current flow direction and the electrode magnetization. These results compromise the validity of Julliere formula.
Descripción3 pages, 3 figures.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.1789241
URIhttp://hdl.handle.net/10261/20932
DOI10.1063/1.1789241
ISSN0003-6951
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
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