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Título

Thermal instability of implanted Mn ions in ZnO

AutorSans, Juan Ángel; Martínez-Criado, Gema; Susini, Jean; Sanz González, Ruy ; Jensen, Jens; Mínguez-Bacho, I. ; Hernández-Vélez, M.; Labrador, A.; Carpentier, P.
Fecha de publicación25-ene-2010
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónJournal of Applied Physics 107(2): 023507 (2010)
ResumenThis letter reports on the site configuration of implanted Mn cations in ZnO. The samples studied were obtained by means of ion implantation in m-plane ZnO single crystals. Synchrotron radiation based fluorescence shows no contamination during the implantation process. The results of micro-x-ray absorption spectroscopy indicate that Mn ions are located in substitutional sites without detectable traces of secondary phases. The postgrowth thermal annealing in O2 atmosphere induces a change in the coordination of a large amount of Mn cations, corresponding to alpha Mn2O3
Descripción5 pages, 4 figures.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.3275890
URIhttp://hdl.handle.net/10261/20863
DOI10.1063/1.3275890
ISSN0021-8979
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