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Título

Strain determination in MBE-grown InAs quantum wires on InP

AutorMazuelas Esteban, Ángel José ; González Sotos, Luisa ; García Martínez, Jorge Manuel ; González Díez, Yolanda ; Schuelli, T.; Priester, C.; Metzger, T. H.
Palabras claveIndium compounds
III-V semiconductors
Semiconductor quantum wires
Molecular beam epitaxial growth
X-ray diffraction
Internal stresses
Fecha de publicación12-ene-2006
EditorAmerican Physical Society
CitaciónPhysical Review B 73, 045312 (2006)
ResumenWe have determined the strain in the three crystallographic directions in InAs quantum wires (QWr) grown by molecular beam epitaxy on (001)InP substrate. We used triple crystal x-ray diffraction to make scans along and perpendicular to the QWr direction in reciprocal space, around InP(220) reflections. We use the shape and strain sensitivity of the different scans to deconvolute both contributions. We used the f scan analysis in grazing incidence diffraction to measure the strain relaxation perpendicular to the QWr as a function of height in the wire. We finally compare these results with finite elements calculations of the strain tensor in InAs QWr on InP.
Descripción6 páginas, 10 figuras.-- PACS number(s): 68.65.La, 68.60.Bs, 81.07.Vb, 81.05.Ea.-- Comunicación presentada al E-MRS 2002 Spring Meeting celebrado en Estrasburgo (Francia) del 18 al 21 de Junio de 2002.
Versión del editorhttp://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.73.045312
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.73.045312
URIhttp://hdl.handle.net/10261/18702
DOI10.1103/PhysRevB.73.045312
ISSN1098-0121
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