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Título

InAs/InP single quantum wire formation and emission at 1.5 µm

AutorAlén, Benito ; Fuster, David ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Martínez-Pastor, Juan
Palabras claveIndium compounds
III-V semiconductors
Semiconductor quantum wires
Atomic force microscopy
Photoluminescence
Self-assembly
Semiconductor growth
Monolayers
Molecular beam epitaxial growth
Fecha de publicación8-dic-2006
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters, 89 (2006)
ResumenIsolated InAs/InP self-assembled quantum wires have been grown using in situ accumulated stress measurements to adjust the optimal InAs thickness. Atomic force microscopy imaging shows highly asymmetric nanostructures with average length exceeding more than ten times their width. High resolution optical investigation of as-grown samples reveals strong photoluminescence from individual quantum wires at 1.5 µm. Additional sharp features are related to monolayer fluctuations of the two-dimensional InAs layer present during the early stages of the quantum wire self-assembling process.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.2403928
URIhttp://hdl.handle.net/10261/17550
DOI10.1063/1.2403928
ISSN0003-6951
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