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Comment on 'Effects of hydrogen dilution on deposition process of nano-crystalline silicon film by SiCl4/H2 plasma'

AutorTanarro, Isabel
Fecha de publicación19-abr-2007
EditorInstitute of Physics Publishing
ResumenIn a recent paper, Wang et al (2006 J. Phys. D: Appl. Phys. 39 3030) have reported the effects of hydrogen dilution ratio on the relative densities of SiCln (n = 0–2) radicals in a SiCl4/H2 plasma generated in a RF low pressure discharge. This comment argues that the radical detection method proposed and used by Wang et al is not appropriate to estimate radical concentrations and that the experimental results obtained with it consequently seem to be unreliable.
Descripción2 pages.-- Printed version published May 7, 2007.
Comment to paper "Effects of hydrogen dilution on deposition process of nano-crystalline silicon film by SiCl4/H2 plasma", http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/39/14/023
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/40/9/N01
URIhttp://hdl.handle.net/10261/17339
DOI10.1088/0022-3727/40/9/N01
ISSN0022-3727
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