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Título

Effect of carrier transfer on the PL intensity in self-assembled In (Ga) As/GaAs quantum rings

AutorOuerghui, W.; Martínez-Pastor, Juan; Gomis, J.; Melliti, A.; Maaref, M. A.; Granados, Daniel ; García Martínez, Jorge Manuel
Palabras claveCr-III-V semiconductors
Multilayers
Superlattices
Fecha de publicación9-jun-2006
EditorEDP Sciences
CitaciónEuropean Physical Journal Applied Physics 35 (2006)
ResumenWe present results concerning the carrier transfer between In(Ga)As quantum rings in a stacked multilayer structure, which is characterised by a bimodal size distribution. This transfer of carriers explains the observed temperature behaviour of diode lasers based on that kind of stacked layer structures. The inter-ring carrier transfer can be possible by phonon assisted tunnelling from the ground state of the smallring family towards the big-ring family of the bimodal size distribution. This process is thermally activated in the range 40–80 K.
Versión del editorhttp://www.edpsciences.org/epjap
http://dx.doi.org/10.1051/epjap:2006088
URIhttp://hdl.handle.net/10261/17140
DOI10.1051/epjap:2006088
ISSN1286-0042
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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