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Título

GaN surface states investigated by electrochemical studies

AutorWinnerl, Andrea; Garrido, Jose A.; Stutzmann, Martin
Fecha de publicación2017
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 110(10): 101602(2017)
ResumenWe present a systematic study of electrochemically active surface states on MOCVD-grown n-type GaN in aqueous electrolytes using cyclic voltammetry and impedance spectroscopy over a wide range of potentials and frequencies. In order to alter the surface states, the GaN samples are either etched or oxidized, and the influence of the surface treatment on the defect-mediated charge transfer to the electrolyte is investigated. Etching in HCl removes substoichiometric GaO, and leads to a pronounced density of electrochemically active surface states. Oxidation effectively removes these surface states.
Versión del editorhttps://doi.org/10.1063/1.4977947
URIhttp://hdl.handle.net/10261/160117
Identificadoresdoi: 10.1063/1.4977947
issn: 0003-6951
e-issn: 1077-3118
Aparece en las colecciones: (CIN2) Artículos
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