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Título

Influencia del substrato y de los tratamientos térmicos en las propiedades ferroeléctricas de láminas delgadas

Otros títulosSubstrate and thermal treatments ibfluence on thin films ferroelectric rpoperties
AutorMendiola, J.; Ramos, Pablo ; Jiménez, Ricardo ; Calzada, M. L. ; Martín, M. J.
Palabras claveFerroeléctricos
Lámina delgada
Sol-gel
Titanato de plomo
Tensiones
Thin films
Ferroelectrics
Lead titanate
Fecha de publicaciónjun-1998
EditorSociedad Española de Cerámica y Vidrio
CitaciónBoletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 37(2-3): 122-126 (1998)
Resumen[ES] Al depositar láminas de (Pb,Ca)TiO3 sobre substratos de Pt/TiO2/SiO2/(100)Si, por el método de sol-gel, se generan tensiones en tracción durante las etapas de secadoy posterior proceso de cristalización, cuyos valores dependen de la concentración de las soluciones precursoras. Estas tensiones son la causa del corrimiento positivo de la temperatura de transición ferro-paraeléctrica, observada en las medidas de la permitividad con la temperatura. Por otro lado, se ha encontrado que para conseguir una adecuada caracterización ferroeléctrica, es necesario someter las láminas formadas, a tratamientos térmicos por encima de su temperatura de Curie. Así lo ponen de manifiesto las medidas de ciclos de histéresis, de corrientes de conmutación, de retención de polarización y de fatiga, realizadas tras del tratamiento térmico. Estos tratamientos actúan sobre los defectos cargados generados durante el procesado de la lámina, que son debidos mayormente a la pérdida por volatización de PbO. La redistribución de estos defectos reduce las corrientes de fuga y facilita la movilidad de las paredes de dominio.
[EN] The preparation by sol-gel of (Pb,Ca)TiO3 thin films on Pt/TiO2/SiO2/(100)Si substrated causes tensile stresses during the drying of the deposition wet layer and during the thermal treatment of crystallization. These stresses are a function of the concentration of the precursor solution. As a consequence of these stresses, a positive shift of the maximum of the permittivity versus temperature is measured. Furthermore, to have an appropriate ferroelectric behaviour of the films, a previous thermal treatment above the Curie temperature has been demonstrated to be necessary. The hysteresis loops, swithching current curves, polarization retain and fatigue measurements prove this statement. These treatments previous to the poling of the film have effect on the charged defects procuded by the volatilization of PbO during the film processing. The redistribution of these defects reduces the leakage currents and makes easier the mobility of the domain walls.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/15880
ISSN0366-3175
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