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Título

Soft error rate comparison of 6T and 8T SRAM ICs using mono-energetic proton and neutron irradiation sources

AutorMalagón, D.; Praena, Javier ; Fernández-Martínez, B. ; Macías-Montero, M. ; Quesada, José Manuel; Jiménez-Ramos, M. C. ; García López, J.
Palabras claveSingle event effects
Single Event Upset
Radiation effects
SRAM
Neutrons
Soft errors
Fecha de publicación2017
EditorElsevier
CitaciónMicroelectronics and Reliability 78: 38-45 (2017)
ResumenWe present experimental results of soft errors produced by proton and neutron irradiation of minimum-size six-transistors (6T) and eight-transistors (8T) bit-cells SRAM memories produced with 65 nm CMOS technology using an 18 MeV proton beam and a neutron beam of 4.3–8.5 MeV. All experiments have been carried out at the National Center of Accelerators (CNA) in Seville, Spain. Similar soft error rate levels have been observed for both cell designs despite the larger area occupied by the 8T cells, although the trend for multiple events has been higher in 6T.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/158602
Identificadoresdoi: 10.1016/j.microrel.2017.07.093
issn: 0026-2714
Aparece en las colecciones: (CNA) Artículos
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