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Título

Viabilidad de películas delgadas de (Pb, Ca) TiO3 depositadas sobre Pt/TiO2/SiO2/Si(100) en aplicaciones de conmutación

Otros títulosFeasibility of (Pb, Ca)TiO3 thin films deposited on Pt/TiO2/SiO2/Si(100) for switching applications
AutorJiménez, Ricardo ; Calzada, M. L. ; Alemany, C.; Ramos, Pablo ; Mendiola, J.
Palabras claveLáminas delgadas ferroeléctricas
Sol-gel
Conmutación
Ferroelectric thin films
Switching
Fecha de publicaciónoct-1999
EditorSociedad Española de Cerámica y Vidrio
CitaciónBoletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 38(5): 477-481 (1999)
Resumen[ES] Se han depositado láminas delgadas de (Pb,Ca)TiO3 sobre substratos de Pt/TiO2/SiO2/Si(100) por centrifugación, partiendo de soluciones sintetizadas por sol -gel. La concentración de las soluciones y el contenido de PbO se seleccionaron para minimizar las tensiones de las láminas cristalizadas y obtener la adecuada estequiometria. La cristalización mediante un calentamiento rápido (RTP), conduce a láminas con orientaciones preferentes [001]/[001], reducida capa interfacial ferroeléctrico-Pt y composición deseada. Los parámetros ferroeléctricos obtenidos muestran una mejora de las propiedades. Estas láminas presentan una fatiga y envejecimiento mucho más moderados que otros materiales alternativos depositados sobre substratos iguales, lo que permite considerar al método descrito como muy valioso para conseguir materiales susceptibles de emplear en aplicaciones de conmutación.
[EN] (Pb,Ca)TiO3 ferroelectric thin films have been spin-coated on Pt/TiO2/SiO2/Si(100) substrates from sol-gel synthesized solutions. Selecting the solution concentrations and the excess of PbO content, stoichiometric composicion with reduced strains are obtained. Crystallization process by rapid thermal treatment (RTP) promote preferred orientations [001]/[100] resulting a thiner ferroelectric-platinum interface layer, which causes the improvement of fatigue and retain behaviour, despite the use of platinum electrodes. These experimental finds let to cosider the described methode of processing very convenient to prepare thin films of this composition to use on switching applications such as non volatil RAM memories.
Versión del editorhttp://boletines.secv.es/es/index.php?id=64&vol=38
URIhttp://hdl.handle.net/10261/15693
ISSN0366-3175
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