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Título

Modelo analítico para la eficiencia cuántica interna de radiómetros de eficiencia cuántica predecible (PQED)

AutorBorreguero, E. ; Ferrero, Alejandro ; Pons Aglio, Alicia ; Tang, C.K.; Gran, J.; Campos Acosta, Joaquín ; Hernanz, María Luisa
Fecha de publicación20-oct-2016
CitaciónII Feria de Otoño SINFOTON (2016)
ResumenLos detectores de eficiencia cuántica predecible, PQED, son los radiómetros empleados en el proyecto europeo New primary standards and traceability for radiometry (NEWSTAR) con el objetivo de desarrollar un patrón primario para medidas de flujo radiante, basado en el efecto fotoeléctrico del silicio como material semiconductor. Actualmente, la eficiencia cuántica de un radiómetro PQED se determina, a partir de los parámetros de diseño y montaje de los dos fotodiodos que lo constituyen, con programas de simulación de dispositivos semiconductores. En este trabajo se propone un método alternativo, analítico, basado en la ecuación de la eficiencia cuántica interna (IQE) desarrollada por Ferrero et al., que pondera el número de electrones que contribuyen a la fotocorriente frente al número de fotones absorbidos, considerando la influencia de las distintas regiones internas del fotodiodo y las características del haz incidente. Se ha realizado la adaptación del modelo original a la unión auto-inducida en el interior de los fotodiodos de un PQED, debida la carga superficial resultante al crecer una capa de óxido sobre el sustrato dopado. Para determinar la deficiencia cuántica interna (IQD=1-IQE), se cuantifica la corriente generada por absorción de la radiación incidente y la perdida por recombinación superficial y en el volumen. Los resultados obtenidos con el modelo analítico son similares a los de las simulaciones. La IQE aumenta con el voltaje de polarización inversa aplicado al PQED y el tiempo de vida de los portadores de carga; mientras que disminuye al aumentar la velocidad de recombinación de superficie y la concentración de impurezas dopantes en el sustrato. Además, el modelo analítico predice un aumento de la IQE con la irradiancia a partir de ciertos niveles, consecuencia de la aparición de suprarresponsividad en los fotodiodos.
DescripciónMuseo Nacional de Ciencias Naturales (CSIC), Madrid, 20 de Octubre de 2016 ; http://www.secpho.org/actoagenda/2a-feria-de-otono-sinfoton/
URIhttp://hdl.handle.net/10261/154732
Aparece en las colecciones: (CFMAC-IO) Comunicaciones congresos
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