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Título

Crecimiento selectivo de InAs sobre substratos grabados de GaAs(001) mediante litografía de oxidación local por AFM

AutorMartín-Sánchez, Javier
DirectorGonzález, Yolanda
Palabras claveMBE
Puntos cuánticos
Semiconductores III-V
Substratos grabados
AFM
Oxidación local
Fecha de publicación29-may-2009
ResumenLos puntos cuánticos (QDs) de material semiconductor presentan una distribución en su densidad de niveles de energía accesibles tipo delta de Dirac, de modo similar al espectro de niveles energéticos discretos que presenta un átomo, por lo que también se les conoce con la denominación de átomos artificiales. Esta peculiar característica junto con el desarrollo de avanzadas técnicas de fabricación, han permitido la mejora de dispositivos opto-electrónicos, así como el desarrollo de nuevos dispositivos, mediante la inserción en su zona activa bien de capas con QDs, o bien de QDs aislados. Entre los dispositivos basados en QDs aislados, se encuentran los dispositivos emisores de fotones individuales, los cuales están englobados fundamentalmente dentro del campo de la óptica cuántica, y tienen aplicaciones en criptografía cuántica o para el procesamiento de información cuántica. Para integrar de una manera eficiente estas nanoestructuras de punto cuántico en dispositivos emisores de fotones individuales reales es esencial controlar tanto el tamaño (longitud de onda de emisión) como la posición de los QDs. En este trabajo de tesis se presenta una aproximación tecnológica mediante la cual pueden obtenerse QDs de InAs sobre substratos grabados de GaAs(001) con control en los lugares de formación de dichos QDs, manteniendo unas excelentes propiedades ópticas. Para ello se hace un uso combinado de la técnica de crecimiento de epitaxia por haces moleculares MBE (del nglés, “Molecular Beam Epitaxy”) y la técnica de oxidación local mediante AFM (del inglés, ”Atomic Force Microscopy”). Los resultados obtenidos en este trabajo muestran que los QDs obtenidos son excelentes candidatos para su aplicación en el futuro desarrollo dispositivos emisores de fotones individuales.
DescripciónTesis leída el 29 de mayo de 2009 en el Departamento de Física de la Materia Condensada de la Universidad Autónoma de Madrid.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/15256
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Tesis
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