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Título

Láminas delgadas ferroeléctricas de titanato de plomo modificado con un 20% de lantano

Otros títulosLead titanate ferroelectric thin films modified with 20% lanthanum
AutorAlgueró, Miguel ; Calzada, M. L. ; Pardo, Lorena
Palabras claveLáminas ferroeléctricas
Pb0.7La0.2TiO3
Memorias DRAM
Ferroelectric films
DRAMs
Fecha de publicaciónoct-1999
EditorSociedad Española de Cerámica y Vidrio
CitaciónBoletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 38(5): 468-471 (1999)
Resumen[ES] Se han preparado láminas delgadas ferroeléctricas de titanato de Pb modificado con un 20% de La, Pb0.7La0.2TiO3, por una técnica sol-gel basada en la ruta de los dioles. Se ha variado el contenido inicial de PbO, del nominal a un exceso del 20% molar; y la velocidad de calentamiento en el tratamiento térmico de cristalización a 650ºC, de 10oC min-1 a más de 500ºC min-1, y estudiado su efecto en la microestructura, estructura y composición de las láminas. No es posible obtener láminas monofísicas con el tratamiento con 10ºC min-1, aun compensando la volatilización de PbO con un exceso inicial del 20% molar. Sí lo es con tratamiento r pido manteniendo dicho exceso de PbO. Estas últimas láminas presentan una permitividad dieléctrica a temperatura ambiente de e=700, y una variación entre ambiente y 100ºC de De= 75, parámetros muy interesantes para memorias DRAMs.
[EN] Lanthanum modified lead titanate ferroelectric thin films with a composition Pb0.7La0.2TiO3 have been prepared by a diol based sol-gel technique. The effect on the film structure, microstructure and composition of the initial PbO content, from the nominal value to an excess of 20 mole%, and of the heating rate of the thermal treatment of crystallisation at 650ºC, from 10ºC min-1 to more than 500ºC min-1, has been studied. It is not possible to obtain single phase films with the treatment at 10ºC min- 1, even when PbO volatilisation is compensated with an initial excess of PbO of 20 mole%. It is possible with the treatment at more than 500ºC min-1 and the latter excess of PbO. These films present a relative dielectric permittivity at room temperature of e= 700, and a variation between room temperature and 100ºC of De= 75, being both parameters very interesting for DRAMs.
Versión del editorhttp://boletines.secv.es/es/index.php?id=64&vol=38
URIhttp://hdl.handle.net/10261/15236
ISSN0366-3175
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