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Título

New process for high optical quality InAs quantum dots grown on patterned GaAs(001) substrates

AutorAlonso-González, Pablo ; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda ; Fuster, David ; Fernández-Martínez, Iván ; Martín-Sánchez, Javier; Abelmann, Leon
Palabras claveQuantum dots
Patterned substrate
Laser interference lithography
Fecha de publicación7-ago-2007
EditorInstitute of Physics Publishing
CitaciónNanotechnology
ResumenThis work presents a selective ultraviolet (UV)-ozone oxidation-chemical etching process that has been used, in combination with laser interference lithography (LIL), for the preparation of GaAs patterned substrates. Further molecular beam epitaxy (MBE) growth of InAs results in ordered InAs/GaAs quantum dot (QD) arrays with high optical quality from the first layer of QDs formed on the patterned substrate. The main result is the development of a patterning technology that allows the engineering of customized geometrical displays of QDs with the same optical quality as those formed spontaneously on flat non-patterned substrates.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/ 10.1088/0957-4484/18/35/355302
URIhttp://hdl.handle.net/10261/14929
DOI10.1088/0957-4484/18/35/355302
ISSN0957-4484
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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Alonso-González, P. et al Nanotechnology 18 _2007_ 355302.doc3,45 MBMicrosoft WordVisualizar/Abrir
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