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High frequency and magnetoelectrical properties of magnetoresistive memory element based on FeCoNi/TiN/FeCoNi film

Otros títulosPropiedades magnetoeléctricas de una memoria magnetorresistiva basada en películas de FeCoNi/TiN/FeCoNi
AutorVázquez Valero, Manuela; Kurlyandskaya, G. V.; Barandiarán, J. M.; García-Miquel, H.; Vas’kovskiy, V. O.; Svalov, A. V.
Palabras claveThin film
Magnetic memory
Magnetoresistance
Magnetoimpedance
Película delgada
Memoria magnética
Magnetorresistencia
Magnetoimpedancia
Fecha de publicaciónago-2000
EditorSociedad Española de Cerámica y Vidrio
CitaciónBoletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 39(4): 581-583 (2000)
Resumen[EN] A miniaturised memory device for information recording and readout processes have been designed on the basis of anisotropic magnetoresistive effect in Fe15Co20Ni65(160Å)/ TiN(50Å)/Fe15Co20Ni65(160Å) three-layered film done by rf diode sputtering. Stable recording and readout processes were available for 32 rectangular element column, where each element had μm dimensions convenient to fabricate memory chip with 106 bits capacity. Rectangles of different sizes with removed corners were used in order to define the geometry of most of all stable recording and readout processes. Magnetoresistance and magnetoimpedance effects of a magnetic memory device have been comparatively analysed. We suggest that the decrease of the absolute value of the magnetoimpedance of the memory device comes from the reduction of the real part via the magnetoresistance.
[ES] Se ha diseñado un dispositivo de memoria para la grabación y lectura de información basado en el efecto de la anisotropía magnetorresistiva de una multicapa fabricada por sputtering mediante diodo de rf. El elemento de memoria se compone de tres películas delgadas, de composición Fe15Co20Ni65(160Å)/ TiN(50Å)/Fe15Co20Ni65(160Å). El dispositivo permite procesos de grabación y lectura estables, y se compone de 32 elementos de memoria rectangulares por columna, donde cada elemento tiene dimensiones de μm lo que permite la fabricación de memorias integradas con capacidades del orden de 106 bits. Se han ensayado elementos de memoria rectangulares de diferentes tamaños, con las esquinas redondeadas con objeto de conseguir procesos de lectura-escritura lo más estable posible. Se han analizado comparativamente los efectos de magnetorresistencia y magnetoimpedancia de los elementos de memoria de diferentes dimensiones. Sugerimos que la disminución del valor absoluto de la magnetoimpedancia del elemento de memoria es consecuencia de la reducción de la parte real, de origen magnetorresistivo.
Versión del editorhttp://boletines.secv.es/es/index.php?id=57&vol=39
URIhttp://hdl.handle.net/10261/14512
ISSN0366-3175
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
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