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Título

Enhanced radiation hardness of InAs/InP quantum wires

AutorSobolev, Nikolai A.; Santos, Nuno M.; Leitão, Joaquim P.; Carmo, Maria C.; Fuster, David ; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda ; Wesch, Werner
Palabras claveRadiation defects
Radiation hardness
Photoluminescence
Quantum wires
Fecha de publicaciónene-2015
EditorWiley-VCH
CitaciónPhysica Status Solidi (B) 252(1): 134-138 (2015)
Resumen© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. We report the influence of 2.4MeV proton irradiation on the photoluminescence (PL) of self-assembled InAs/InP quantum wires (QWRs) and quantum wells (QWs), which show PL emission at similar wavelengths. The proton irradiation leads to an extinction of the PL intensity and to a deterioration of the thermal stability of the PL both in QWR and QW samples. However, the QWRs tend to exhibit higher radiation hardness, especially at low temperatures and upon just above-bandgap excitation.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1002/pssb.201400163
URIhttp://hdl.handle.net/10261/130005
DOI10.1002/pssb.201400163
Identificadorese-issn: 1521-3951
issn: 0370-1972
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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