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Título

Enhancement of the room temperature luminescence of InAs quantum dots by GaSb capping

AutorRipalda, José María ; Alonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; Taboada, Alfonso G.; García Martínez, Jorge Manuel ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa
Palabras claveIndium compounds
Gallium compounds
Gallium arsenide
III-V semiconductors
Semiconductor quantum dots
Self-assembly
Monolayers
Luminescence
Fecha de publicación5-jul-2007
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 91, 012111 (2007)
ResumenThe authors have studied the use of antimony for the optimization of the InAs/GaAs(001) self-assembled quantum dot (QD) luminescence characteristics in the 1.3 µm spectral region. The best results have been obtained by capping InAs QDs with 2 ML of GaSb grown on top of a 3 ML GaAs barrier separating the InAs and the GaSb layers. This results in an order of magnitude enhancement of the room temperature luminescence intensity at 1.3 µm emission wavelength.
Versión del editorhttp://link.aip.org
http://d.doi.org/10.1063/1.2753716
URIhttp://hdl.handle.net/10261/12275
DOI10.1063/1.2753716
ISSN0003-6951
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