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Título

Formation and optical characterization of single InAs quantum dots grown on GaAs nanoholes

AutorAlonso-González, Pablo ; Alén, Benito ; Fuster, David ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Martínez-Pastor, Juan
Palabras clavecrystal morphology
III-V semiconductors
indium compounds
nanotechnology
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor growth
semiconductor quantum dots
Fecha de publicación16-oct-2007
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 91, 163104 (2007)
ResumenWe present a study of the structural and optical properties of InAs quantum dots formed in a low density template of nanoholes fabricated by droplet epitaxy on GaAs (001). The growth conditions used here promote the formation of isolated quantum dots only inside the templated nanoholes. Due to the good optical quality and low density of these nanostructures, their ensemble and individual emission properties could be investigated and related to the particular growth method employed and the quantum dot morphology.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.2799736
http://link.aip.org
URIhttp://hdl.handle.net/10261/11995
DOI10.1063/1.2799736
ISSN0003-6951
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