English   español  
Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item: http://hdl.handle.net/10261/11899
Compartir / Impacto:
Estadísticas
Add this article to your Mendeley library MendeleyBASE
Citado 141 veces en Web of Knowledge®  |  Ver citas en Google académico
Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL
Título

Manipulating exciton fine structure in quantum dots with a lateral electric field

AutorGerardot, B. D.; Seidl, Stefan; Dalgarno, P. A.; Warburton, Richard J.; Granados, Daniel ; García Martínez, Jorge Manuel ; Kowalik, K.; Krebs, O.; Karrai, Khaled; Badolato, Antonio; Petroff, Pierre M.
Palabras claveExcitons
Fine structure
Semiconductor quantum dots
Indium compounds
Gallium arsenide
III-V semiconductors
Stark effect
Photoluminescence
Fecha de publicación22-ene-2007
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 90, 041101 (2007)
ResumenThe fine structure of the neutral exciton in a single self-assembled InGaAs quantum dot is investigated under the effect of a lateral electric field. Stark shifts up to 1.5 meV, an increase in linewidth, and a decrease in photoluminescence intensity were observed due to the electric field. The authors show that the lateral electric field strongly affects the exciton fine-structure splitting due to active manipulation of the single particle wave functions. Remarkably, the splitting can be tuned over large values and through zero.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.2431758
http://link.aip.org
URIhttp://hdl.handle.net/10261/11899
DOI10.1063/1.2431758
ISSN0003-6951
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
Gerardot B.D. et al ApplPhysLett_90_2007.pdf179,45 kBAdobe PDFVista previa
Visualizar/Abrir
Mostrar el registro completo
 



NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.