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Título

Carrier recombination effects in strain compensated quantum dot stacks embedded in solar cells

AutorAlonso-Álvarez, Diego ; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María ; Alén, Benito ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; García Martínez, Jorge Manuel ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I.
Palabras claveElectron-hole recombination
Gallium arsenide
III-V semiconductors
Photovoltaic cells
Semiconductor quantum dots
Solar cells
Thermal stability
Fecha de publicación25-sep-2008
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 93, 123114 (2008)
ResumenIn this work we report the stacking of 50 InAs/GaAs quantum dot layers with a GaAs spacer thickness of 18 nm using GaP monolayers for strain compensation. We find a good structural and optical quality of the fabricated samples including a planar growth front across the whole structure, a reduction in the quantum dot size inhomogeneity, and an enhanced thermal stability of the emission. The optimized quantum dot stack has been embedded in a solar cell structure and we discuss the benefits and disadvantages of this approach for high efficiency photovoltaic applications.
Descripción3 páginas, 3 figuras.
Versión del editorhttp://dx.doi.org./10.1063/1.2978243
URIhttp://hdl.handle.net/10261/11690
DOI10.1063/1.2978243
ISSN0003-6951
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