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Título

Low density InAs quantum dots with control in energy emission and top surface location

AutorAlonso-González, Pablo ; Martín-Sánchez, Javier; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Fuster, David
Palabras claveIII-V semiconductors
Indium compounds
Liquid phase epitaxial growth
Photoluminescence
Semiconductor epitaxial layers
Semiconductor growth
Semiconductor quantum dots
Wide band gap semiconductors
Fecha de publicación4-nov-2008
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters; 93, 183106 (2008)
ResumenIn this work we extend the droplet epitaxy growth technique to the fabrication of low density InAs quantum dots (QDs) on GaAs (001) substrates with control in size, energy emission, and top surface location. In particular, depending on the amount of InAs material deposited, it has been possible to tune the QD energy emission over a range of 1.12–1.40 eV while keeping constant the nanostructures density at 2×108 cm−2. Moreover, the capping growth process of these QD shows mounding features that permit their spatial identification once embedded by a GaAs capping layer.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.3021070
URIhttp://hdl.handle.net/10261/11505
DOI10.1063/1.3021070
ISSN0003-6951
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