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Title

conexiones mos ndr

AuthorsAvedillo, M. J. ; Núñez, Juan ; Quintana, J. M.
KeywordsNDR
Issue Date2009
PublisherCSIC - Instituto de Microelectrónica de Sevilla (IMS-CNM)
Citationconexiones mos ndr [Integrated Circuit], 2009
AbstractLa finalidad de este proyecto es contribuir al desarrollo de circuitos integrados utilizando dispositivos con una o varias regiones de resistencia diferencial negativa (NDR) en su característica I-V y, más especificamente, con diodos basados en el efecto túnel resonante (RTDs). En tecnologías III/V, estos dispositivos en combinación con transistores han demostrado reducción de área y consumo de potencia e incremento de velocidad frente a realizaciones convencionales, que se asocian a su característica con una región NDR.
DescriptionConexiones MOS NDR
Publisher version (URL)http://www.imse-cnm.csic.es/es/catalogo_chips.php
URIhttp://hdl.handle.net/10261/113020
Appears in Collections:(IMSE-CNM) Catálogo de Circuitos Integrados
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