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  2. Ciencia y Tecnologías Físicas
  3. Instituto de Microelectrónica de Sevilla (IMSE-CNM)
  4. (IMSE-CNM) Catálogo de Circuitos Integrados
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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorAvedillo, María J.-
dc.contributor.authorNúñez, Juan-
dc.contributor.authorQuintana, J. M.-
dc.date.accessioned2015-03-26T12:07:07Z-
dc.date.available2015-03-26T12:07:07Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.citationpuertas mos ndr [Integrated circuit], 2009es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10261/112991-
dc.descriptionPuertas MOS NDR. Tecnología UMC 0.13µm 8 metaleses_ES
dc.description.abstractLa finalidad de este proyecto es contribuir al desarrollo de circuitos integrados utilizando dispositivos con una o varias regiones de resistencia diferencial negativa (NDR) en su característica I-V y, más especificamente, con diodos basados en el efecto túnel resonante (RTDs). En tecnologías III/V, estos dispositivos en combinación con transistores han demostrado reducción de área y consumo de potencia e incremento de velocidad frente a realizaciones convencionales, que se asocian a su característica con una región NDRes_ES
dc.publisherCSIC - Instituto de Microelectrónica de Sevilla (IMS-CNM)es_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.subjectNDRes_ES
dc.titlepuertas mos ndres_ES
dc.typetopografía de productos semiconductoreses_ES
dc.description.peerreviewedNoes_ES
dc.relation.publisherversionhttp://www.imse-cnm.csic.es/es/catalogo_chips.phpes_ES
dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/es_ES
dc.contributor.funderMinisterio de Educación y Ciencia (España)-
dc.relation.csicSíes_ES
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/BW7T-YM2G es_ES
item.openairetypetopografía de productos semiconductores-
item.grantfulltextopen-
item.cerifentitytypePublications-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
item.fulltextWith Fulltext-
Aparece en las colecciones: (IMSE-CNM) Catálogo de Circuitos Integrados
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