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Título

puertas mos ndr

Autor Avedillo, M. J. ; Núñez, Juan ; Quintana, J. M.
Palabras clave NDR
Fecha de publicación 2009
EditorCSIC - Instituto de Microelectrónica de Sevilla (IMS-CNM)
Citación puertas mos ndr [Integrated circuit], 2009
ResumenLa finalidad de este proyecto es contribuir al desarrollo de circuitos integrados utilizando dispositivos con una o varias regiones de resistencia diferencial negativa (NDR) en su característica I-V y, más especificamente, con diodos basados en el efecto túnel resonante (RTDs). En tecnologías III/V, estos dispositivos en combinación con transistores han demostrado reducción de área y consumo de potencia e incremento de velocidad frente a realizaciones convencionales, que se asocian a su característica con una región NDR
Descripción Puertas MOS NDR. Tecnología UMC 0.13µm 8 metales
Versión del editorhttp://www.imse-cnm.csic.es/es/catalogo_chips.php
URI http://hdl.handle.net/10261/112991
Aparece en las colecciones: (IMSE-CNM) Catálogo de Circuitos Integrados
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