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Título

Fabrication of sub-12 nm thick silicon nanowires by processing scanning probe lithography masks

Autor Kyoung Ryu, Yu; Postigo, Pablo Aitor ; García-Pérez, Fernando ; García García, Ricardo
Fecha de publicación 2014
EditorAmerican Institute of Physics
Citación Applied Physics Letters 104: 223112 (2014)
ResumenSilicon nanowires are key elements to fabricate very sensitive mechanical and electronic devices. We provide a method to fabricate sub-12 nm silicon nanowires in thickness by combining oxidation scanning probe lithography and anisotropic dry etching. Extremely thin oxide masks (0.3-1.1 nm) are transferred into nanowires of 2-12 nm in thickness. The width ratio between the mask and the silicon nanowire is close to one which implies that the nanowire width is controlled by the feature size of the nanolithography. This method enables the fabrication of very small single silicon nanowires with cross-sections below 100 nm2. Those values are the smallest obtained with a top-down lithography method. © 2014 AIP Publishing LLC.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.4881977
URI http://hdl.handle.net/10261/108287
DOI10.1063/1.4881977
Identificadoresissn: 0003-6951
e-issn: 1077-3118
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
(IMN-CNM) Artículos
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