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Título

Temperature dependent single photon emission in InP/GaInP quantum dots

AutorNowak, A. K.; Gallardo, E.; Sarkar, D.; Sanvitto, D.; Meulen, H. P. van der; Calleja, J. M.; Ripalda, José María ; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda
Palabras claveQuantum dot
Dark exciton
Single photon emitter
Fecha de publicación2010
EditorElsevier
CitaciónPhysica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 42(10): 2509-2513 (2010)
ResumenIntensity correlation measurements on single InP/GaInP quantum dots (QDs) show antibunching at zero delay time, indicative of single photon emission. The antibunching time tau(R) increases or decreases with temperature depending on the QD size as a result of the competition between: (1) thermal excitation of holes dominant in smaller QDs and (2) dark-to-bright exciton transition dominant in larger QDs. The antibunching minimum g((2))(0) remains below 0.2 up to 45 K. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/103437
DOI10.1016/j.physe.2010.02.025
Identificadoresdoi: 10.1016/j.physe.2010.02.025
issn: 1386-9477
e-issn: 1873-1759
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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