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Título

Influence of the Ge-Sb sublattice atomic composition on the topological electronic properties of Ge2Sb2Te5

AutorSilkin, I. V.; Koroteev, Yuri M.; Bihlmayer, G.; Chulkov, Eugene V.
Palabras claveTopological insulator
Topological invariant
Atomic composition
Density functional theory
Electronic structure
Fecha de publicación2013
EditorElsevier
CitaciónApplied Surface Science 267: 169-172 (2013)
ResumenWe present ab initio calculations of an electronic structure and a topological invariant ν0 of the Ge2Sb 2Te5 compound. We have found that in the case of equiatomic composition of Ge/Sb layers the Ge2Sb2Te 5 compound is the topological insulator. The ν0 invariant does not depend on a specific location of Ge and Sb atoms in the mixed layers, and depends only on their concentration. The variation of the concentration in the Ge/Sb layers leads to a change of the topological invariant of the compound. © 2012 Elsevier B.V. All rights reserved.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/102168
DOI10.1016/j.apsusc.2012.09.017
Identificadoresdoi: 10.1016/j.apsusc.2012.09.017
issn: 0169-4332
Aparece en las colecciones: (CFM) Artículos
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