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Título

Ab initio approach to the rate of radiative electron trapping and electron-hole recombination in B-, C-, and N-doped anatase

AutorZhukov, Vladlen P.; Chulkov, Eugene V.
Palabras claveElectron–hole recombination
Electronic band structure
Impurities
Photocatalysis
Anatase
Fecha de publicación2012
EditorWiley-VCH
Citaciónphysica status solidi (b) 249(5): 1063-1071 (2012)
ResumenWe propose a first-principle method for evaluating the rate of radiative electron-hole recombination and electron trapping on impurities in semiconductors. The method is based on the Einstein-Planck theory of photon modes and the perturbation theory with dipole approximation for the electron-field interaction. The calculations employing the LMTO-TB band structure method have been done for anatase doped with boron, carbon, and nitrogen. We find that the doping cannot induce radiative processes of electron trapping or electron-hole recombination. © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/101912
DOI10.1002/pssb.201147424
Identificadoresdoi: 10.1002/pssb.201147424
issn: 0370-1972
e-issn: 1521-3951
Aparece en las colecciones: (CFM) Artículos
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