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Rafí, J. M.

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Perfil

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Firma en Digital.CSIC (*)
Rafí, J. M.
 
Otras firmas
Rafí, Joan Marc
 
Centro o Instituto
CSIC - Centro Nacional de Microelectrónica (CNM)
 
Departamento
Micro y Nanosistemas
 
Categoría Profesional
Científico Titular del CSIC
 
Especialización
Electrical characterization Electrical Reliability Radiation effects Advanced CMOS devices Semiconductor radiation detectors
 
Email
jm.rafi@csic.es
 
ORCID
 
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Publications

Refined By:
Autor:  Mercha, A.

Resultados 1-6 de 6.

DerechosPreviewFecha Public.TítuloAutor(es)Tipo
1openAccessrafi_INFOS2007_full_paper_v2.pdf.jpg1-sep-2007Electrical stress on irradiated thin gate oxide partially depleted SOI nMOSFETsRafí, J. M. CSIC ORCID ; Simoen, E.; Mercha, A.; Hayama, K.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Ohyama, H.; Claeys, C.artículo
2openAccessjmrafi_EUROSOI_2007_SSE_revised_vfinal.pdf.jpg2007Gate induced floating body effects in TiN/SiON and TiN/HfO<inf>2</inf> gate stack triple gate SOI nFinFETsRafí, J. M. CSIC ORCID ; Simoen, E.; Mercha, A.; Collaert, Nadine; Hayama, K.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Claeys, C.artículo
3openAccessP11_JMRafi.pdf.jpg1-sep-2006Hot-carrier-induced degradation of drain current hysteresis and transients in thin gate oxide floating body partially depleted SOI nMOSFETsRafí, J. M. CSIC ORCID ; Simoen, E.; Hayama, K.; Mercha, A.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Ohyama, H.; Claeys, C.artículo
4openAccessrafi_transients_pd_soi_sse_revised.pdf.jpg2004Impact of gate tunneling floating-body charging on drain current transients of 0.10 μm-CMOS partially depleted SOI MOSFETsRafí, J. M. CSIC ORCID ; Mercha, A.; Simoen, E.; Claeys, C.artículo
5openAccessEUROSOI_2005_SSE_21_revised.pdf.jpg1-ene-2005Impact of hot-carrier stress on gate-induced floating body effects and drain current transients of thin gate oxide partially depleted SOI nMOSFETsRafí, J. M. CSIC ORCID ; Simoen, E.; Mercha, A.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Claeys, C.artículo
6openAccessjmrafi_WoDiM_2008_JVSTB.pdf.jpg17-feb-2009Progressive degradation of TiNSiON and TiNHf O2 gate stack triple gate SOI nFinFETs subjected to electrical stressRafí, J. M. CSIC ORCID ; Simoen, E.; Mercha, A.; Collaert, Nadine; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Claeys, C.artículo