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Hidalgo, Salvador

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Perfil

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Firma en Digital.CSIC (*)
Hidalgo, Salvador
 
Centro o Instituto
CSIC - Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM)
 
Departamento
Integración de Sistemas
 
Categoría Profesional
Científico Titular
 
Especialización
Microelectronics, Clean Room, Power Devices, Radiation Detectors, Reverse Engineering
 
Email
salvador.hidalgo@csic.es
 
ORCID
 
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Publications

Refined By:
Autor:  Jaramillo, R.

Resultados 1-4 de 4.

DerechosPreviewFecha Public.TítuloAutor(es)Tipo
1openAccessinversappl.pdf.jpg2020Inverse Low Gain Avalanche Detectors (iLGADs) for precise tracking and timing applicationsCurrás, Esteban CSIC ORCID ; Carulla, M.; Centis Vignali, M.; Duarte Campderros, J. CSIC ORCID ; Fernández-García, Marcos CSIC ORCID ; Flores, David; García Alonso, A. CSIC ORCID; Gómez, Gervasio CSIC ORCID ; González, Javier G.; Hidalgo, Salvador ; Jaramillo, R. CSIC ORCID ; Merlos Domingo, Ángel CSIC ORCID ; Moll, Michael; Pellegrini, Giulio CSIC ORCID; Quirion, David; Vila, Iván CSIC ORCIDartículo
2openAccessresultASIC.pdf.jpg2019Results on proton-irradiated 3D pixel sensors interconnected to RD53A readout ASICDuarte Campderros, J. CSIC ORCID ; Currás, Esteban CSIC ORCID ; Fernández-García, Marcos CSIC ORCID ; Gómez, Gervasio CSIC ORCID ; García, A.; González, Javier G.; Silva Jimenez, E. CSIC; Vila, Iván CSIC ORCID; Jaramillo, R. CSIC ORCID ; Meschini. M.; Dinardo, M. E.; Gennai, S.; Moroni, L.; Demaria, N.; Monteil, E.; Messineo, A.; Hidalgo, Salvador ; Merlos Domingo, Ángel CSIC ORCID ; Pellegrini, Giulio CSIC ORCID; Quirion, David; Manna, M.artículo
3openAccessstudyLGA.pdf.jpg2022Study of ionization charge density-induced gain suppression in LGADsJiménez-Ramos, M. C. CSIC ORCID; García López, J. CSIC ORCID; García-Osuna, Adrián; Vila, Iván CSIC ORCID; Currás, Esteban CSIC ORCID ; Jaramillo, R. CSIC ORCID ; Hidalgo, Salvador ; Pellegrini, Giulio CSIC ORCIDartículo
4openAccesstimingsubstrate.pdf.jpg2023Timing performance and gain degradation after irradiation with protons and neutrons of Low Gain Avalanche Diodes based on a shallow and broad multiplication layer in a float-zone 35μm and 50μm thick silicon substrateCurrás, Esteban CSIC ORCID ; Doblas, Albert; Fernández-García, Marcos CSIC ORCID ; Flores, David; González, Javier G.; Hidalgo, Salvador ; Jaramillo, R. CSIC ORCID ; Moll, Michael; Navarrete Ramos, Efrén CSIC ORCID; Pellegrini, Giulio CSIC ORCID; Vila, Iván CSIC ORCIDartículo