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Firma en Digital.CSIC (*):
Castellanos-Gómez, Andrés
 
Centro o Instituto:
CSIC - Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM)
 
Departamento:
Materiales para Tecnologías de la Información
 
Categoría Profesional:
Científico Titular
 
Especialización:
Ciencia y Tecnología de los Materiales
 
Email:
andres.castellanos@csic.es
 
 
Perfil en Google Scholar:
 
 
 

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RightsPreviewIssue DateTitleAuthor(s)Type
1closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg30-Jun-2017A new bandgap tuning knobRoldán, Rafael ; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
2openAccessVaquero_Anisotropic_Nanoscale_Communication_c9nr03009c_2019.pdf.jpg7-Jul-2019Anisotropic buckling of few-layer black phosphorusVaquero-Garzón, Luis; Frisenda, Riccardo; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
3closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpgJun-2017Approaching ultrastrong coupling in transmon circuit QED using a high-impedance resonatorBosman, Sal J.; Gely, Mario F.; Singh, Vibhor; Bothner, Daniel; Castellanos-Gómez, Andrés  ; Steele, Gary A.artículo
4closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg16-Oct-2017Characterization of highly crystalline lead iodide nanosheets prepared by room-temperature solution processingFrisenda, Riccardo; Island, Joshua O.; Lado, Jose L.; Giovanelli, Emerson; Gant, Patricia; Nagler, Philipp; Bange, Sebastian; Lupton, John M.; Schüller, Christian; Molina-Mendoza, Aday J.; Aballe, Lucia; Foerster, Michael; Korn, Tobias; Angel Niño, Miguel; Pérez de Lara, David; Pérez, Emilio M.; Fernandéz-Rossier, Joaquín; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
5openAccesscrystalline_MoO3_MoS2.pdf.jpg15-May-2020Direct transformation of crystalline MoO3 into few-layers MoS2Carrascoso-Plana, Felix; Sanchez-Santolino, Gabriel ; Hsu, Chun-wei; Nemes, Norbert M.; Torres-Pardo, Almudena; Gant, Patricia; Mompean, F. J. ; Kalantar-zadeh, Kourosh; Alonso, J. A. ; García-Hernández, M.  ; Frisenda, Riccardo; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
6openAccessElectric-Field Screening.pdf.jpg2013Electric-field screening in atomically thin layers of MoS2: The role of interlayer couplingCastellanos-Gómez, Andrés  ; Cappelluti, E. ; Roldán, Rafael ; Agraït, Nicolás; Guinea, F. ; Rubio-Bollinger, Gabinoartículo
7openAccessboletinGEC_025_art.3_Castellanos.pdf.jpgSep-2012Electronic inhomogeneities in grapheme: the role of the substrate interaction and chemical dopingCastellanos-Gómez, Andrés  ; Arramel; Wojtaszek, M.; Smit, R. H. M.; Tombros, N.; Agraït, Nicolás; Wees, B. J. van; Rubio-Bollinger, G.artículo
8openAccessposttrichalcoge.pdf.jpg2017Electronics and optoelectronics of quasi-1D layered transition metal trichalcogenidesIsland, Joshua O.; Molina-Mendoza, Aday J.; Barawi, Mariam; Biele, Robert; Flores, Eduardo; Clamagirand, José M.; Ares, José R.; Sánchez, Carlos ; Zant, Herre S. J. van der; D'Agosta, Roberto; Ferrer, Isabel J.; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
9closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg20-Nov-2017Elucidating the methylammonium (MA) conformation in MAPbBr3 perovskite with application in solar cellsLópez, C. A.; Martínez-Huerta, M. V.; Alvarez-Galván, M. C.; Kayser, P.; Gant, P.; Castellanos-Gómez, Andrés  ; Fernández-Díaz, M. T.; Fauth, F.; Alonso, J. A. artículo
10closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg2017Gate tunable photovoltaic effect in MoS2 vertical p–n homostructuresSvatek, Simon A.; Antolín, Elisa; Lin, Der-Yuh; Frisenda, Riccardo; Reuter, Christoph; Molina-Mendoza, Aday J.; Muñoz Sánchez, Manuel ; Ko, Tsung-Shine; Pérez de Lara, David; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
11openAccesselectronics-06-00028-v2.pdf.jpg31-Mar-2017High Throughput Characterization of Epitaxially Grown Single-Layer MoS2Ghasemi, Foad; Frisenda, Riccardo; Dumcenco, Dumitru; Kis, Andras; Pérez de Lara, David; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
12closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg21-Nov-2017Lithography-free electrical transport measurements on 2D materials by direct microprobingGant, Patricia; Niu, Yue; Svatek, Simon A.; Agraït, Nicolás; Munuera, C.  ; García-Hernández, M.  ; Frisenda, Riccardo; Pérez de Lara, David; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
13openAccessLocal strain.pdf.jpg2013Local strain engineering in atomically thin MoS2Castellanos-Gómez, Andrés  ; Roldán, Rafael ; Cappelluti, E. ; Buscema, M.; Guinea, F. ; Zant, Herre S. J. van der; Steele, Gary A.artículo
14openAccessLong_Term_Seitz_Art2019.pdf.jpg3-Aug-2019Long-Term stabilization of two-dimensional perovskites by encapsulation with hexagonal boron nitrideSeitz, Michael; Gant, Patricia; Castellanos-Gómez, Andrés  ; Prins, Ferryartículo
15closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg25-Oct-2017Molybdenum Oxides – From Fundamentals to FunctionalityAlves de Castro, Isabela; Shankar Datta, Robi; Zhen Ou, Jian; Castellanos-Gómez, Andrés  ; Sriram, Sharath; Kalantar-Zadeh, Torben Daeneke; Kalantar‐zadeh, Kouroshartículo
16openAccessMultiterminal electronic transpory in boron nitride_accepted.pdf.jpg2020Multi-terminal electronic transport in boron nitride encapsulated TiS3 nanosheetsPapadopoulos, Nikos; Flores, Eduardo; Watanabe, Kenji; Taniguchi, Takashi; Ares, José R.; Sánchez, Carlos ; Ferrer, Isabel J.; Castellanos-Gómez, Andrés  ; Steele, Gary A.; Zant, Herre S. J. van derartículo
17openAccessoptical_contrast_refractive_index_natural_van_der_Waals.pdf.jpg8-Nov-2017Optical contrast and refractive index of natural van der Waals heterostructure nanosheets of franckeiteGant, Patricia; Ghasemi, Foad; Maeso, David; Munuera, C.  ; López-Elvira, Elena ; Frisenda, Riccardo; Lara, David Pérez de; Rubio-Bollinger, Gabino; García-Hernández, M.  ; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
18openAccessSupplementary Materials.pdf.jpg29-Jun-2020Optical-Based Thickness Measurement of MoO3 NanosheetsPuebla, Sergio; Mariscal-Jiménez, Antonio; Serna, Rosalía ; Munuera, C. ; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
19closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg21-Jul-2017Photodiodes based in La0.7Sr0.3MnO3/single layer MoS2 hybrid vertical heterostructuresNiu, Yue; Frisenda, Riccardo; Svatek, Simon A.; Orfila, Gloria; Gallego-Marcos, Fernando ; Gant, Patricia; Agra, Nicolás; León, Carlos ; Rivera-Calzada, Alberto; Pérez de Lara, David; Santamaría, Jacobo ; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo
20openAccessYueNiu_Polarization_TiS3_photodetector_vArXiv.pdf.jpg4-Oct-2018Polarization‐Sensitive and Broadband Photodetection Based on a Mixed‐Dimensionality TiS3/Si p–n JunctionNiu, Yue; Frisenda, Riccardo; Flores, Fernando; Ares, José R.; Jiao, Weicheng; Pérez de Lara, David; Sánchez López, Carlos; Wang, Rongguo; Ferrer, Isabel J.; Castellanos-Gómez, Andrés  artículo