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López Sancho, José María

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Perfil

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Firma en Digital.CSIC (*)
López Sancho, José María
 
Centro o Instituto
CSIC - Instituto de Física Fundamental (IFF)
 
Departamento
Departamento Partículas, Campos y Cosmología
 
Categoría Profesional
Profesor de Investigación
 
Especialización
Ha trabajado didáctica de la física, física de superficies, electrónica y ciencia de materiales, habiendo publicado numerosos trabajos de investigación en estas áreas. Es autor de diversos trabajos de investigación en el aula y de algunos libros de didáctica de la ciencia.
 
Email
lopezsancho@iff.csic.es
 
Página web
 

Publications

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RightsPreviewIssue DateTitleAuthor(s)Type
1openAccessCritical.pdf.jpg15-Jul-2005Critical behavior of the single-particle spectral weight in the ionic Hubbard modelRefolio Refolio, María del Carmen; López Sancho, José María ; Rubio, J.artículo
2openAccessexp_curie_museo_virtual_csic.pdf.jpg6-Oct-2014Una descripción del experimento de los CurieLópez Sancho, José María ; Moreno Gómez, Esteban artículo
3openAccessMCRefolio.pdf.jpg1999Dynamical correlation-hole approach to the Hubbard modelRefolio, Esther CSIC; López Sancho, José María ; Rubio, J.; López-Sancho, María Pilar CSIC ORCID artículo
4closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg2014El CSIC cumple 75 añosMartínez-Ripoll, Martín CSIC ORCID; López Sancho, José María ; Moreno Gómez, Esteban artículo
5closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1997Electron-Hole Shake-Up in Adsorption Systems: Halogens on Semiconductor SurfacesRefolio, M. C.; López Sancho, José María ; Rubio, J.; López-Sancho, María Pilar CSIC ORCID artículo
6closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1985Highly convergent schemes for the calculation of bulk and surface Green functionsLópez-Sancho, María Pilar CSIC ORCID ; López Sancho, José María ; Rubio, J.artículo
7closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1998Long-lived core-hole excited states and high-energy thresholds in stimulated desorption processes: Cl/Si(100)-(2 × 1)Refolio, M. C.; López Sancho, José María ; López-Sancho, María Pilar CSIC ORCID ; Rubio, J.artículo
8closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1997Many-body study of ionic states in adsorption systems: Cl-Si(100)-(2 × 1)Refolio, M. C.; López Sancho, José María ; Rubio, J.; López-Sancho, María Pilar CSIC ORCID artículo
9closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg14-Sep-1983Quick iterative scheme for the calculation of transfer matrices: application to Mo (100)López-Sancho, María Pilar CSIC ORCID ; López Sancho, José María ; Rubio, J.artículo
10openAccessJAMartinG.pdf.jpg1998Semiconductor-metal transition of the single-domain K/Si(100)-(2×1) interface by Fermi-surface determinationMartín-Gago, José A. CSIC ORCID ; Asensio, María C. CSIC ORCID; Aebi, P.; Fasel, Román; Naumović, D.; Osterwalder, J.; Refolio, M. C.; López Sancho, José María ; Rubio, J.artículo
11closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1999Study of the electronic bonding of Cl-Si(100) by synchrotron radiation photoemission spectroscopy and many-body calculationsMartín-Gago, José A. CSIC ORCID ; Román, E.; Refolio, M. C.; López Sancho, José María ; Rubio, J.; Hellner, L.; Comtet, Genevièveartículo
12openAccessTemperature.pdf.jpg1-Feb-2002Temperature-dependent gaps in the half-filled Hubbard model on a triangular latticeRefolio Refolio, María del Carmen; López Sancho, José María ; Rubio, J.artículo