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Browsing by Author Mazuelas Esteban, Ángel José

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RightsPreviewIssue DateTitleAuthor(s)Type
closedAccess1989Atomic layer MBE growth and characterization of AlAs/InAs strained layer superlattices on GaAsGonzález Sotos, Luisa; Ruiz, A.; Mazuelas Esteban, Ángel José; Armelles Reig, Gaspar CSIC ORCID; Recio Segoviano, Miguel; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDcomunicación de congreso
closedAccessNov-1989Atomic layer molecular beam epitaxy growth of InAs on GaAs substratesRuiz, A.; González Sotos, Luisa; Mazuelas Esteban, Ángel José; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
openAccessT18102.pdf.jpg2002Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-SiMazuelas Esteban, Ángel Josétesis doctoral
closedAccessAug-1993Critical thickness determination of InAs, InP and GaP on GaAs by X-ray interference effect and transmission electron microscopyMazuelas Esteban, Ángel José; González Sotos, Luisa; Ponce, F. A.; Tapfer, L.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDcomunicación de congreso
closedAccess1991Determination of in-depth thermal strain distribution in Molecular Beam Epitaxy GaAs on SiGonzález Díez, Yolanda; Mazuelas Esteban, Ángel José; Recio Segoviano, Miguel; González Sotos, Luisa; Armelles Reig, Gaspar CSIC ORCID; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
openAccessApplPhysLett_54_804.pdf.jpg1989Folded acoustic phonons in InAs-AlAs strained-layer superlatticesRecio Segoviano, Miguel; Armelles Reig, Gaspar CSIC ORCID; Ruiz, A.; Mazuelas Esteban, Ángel Joséartículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1992Growth and characterization of ultrathin GaP layer in a GaAs matrix by X-ray interference effectMazuelas Esteban, Ángel José; Tapfer, L.; Ruiz, A.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCID; Ploog, K.artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1994High-resolution electron microscopy and X-ray diffraction characterization of alternately strained (GaAs)n(GaP)m(GaAs)n(InP)m superlattices grown by Atomic Layer Molecular Beam Epitaxy.Ballesteros, Carmen; Gerthsen, D.; Mazuelas Esteban, Ángel José; Ruiz, A.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
closedAccess21-May-2001Observation of dislocation generation in highly strained quantum well lasers during operationMazuelas Esteban, Ángel José; Dotor, María Luisa CSIC ORCID; Golmayo, Dolores CSIC; Zeimer, U.; Baumbach, T.; Luebbert, D.; Grenzer, J.; Baruchel, J.artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1992Quantum well laser with single InAs monolayer in active regionDotor, María Luisa CSIC ORCID; Huertas, P.; Meléndez Sánchez, Juan; Mazuelas Esteban, Ángel José; Garriga, M.; Golmayo, Dolores CSIC; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1993Quantum well lasers with InAs monolayers in the active region grown at low temperature by atomic layer molecular beam epitaxyDotor, María Luisa CSIC ORCID; Meléndez Sánchez, Juan; Huertas, P.; Mazuelas Esteban, Ángel José; Garriga, M.; Golmayo, Dolores CSIC; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
openAccessJApplPhys_77_4339.pdf.jpg1995SnTe-doping of GaAs grown by atomic layer molecular beam epitaxyKuball, M.; Cardona, M.; Mazuelas Esteban, Ángel José; Ploog, K.; Pérez Camacho, J. J.; Silveira, Juan Pedro CSIC; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
openAccessMazuelas, A. et al Phys.Rev.B_73_2006.pdf.jpg12-Jan-2006Strain determination in MBE-grown InAs quantum wires on InPMazuelas Esteban, Ángel José; González Sotos, Luisa; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; González Díez, Yolanda; Schuelli, T.; Priester, C.; Metzger, T. H.comunicación de congreso
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1990Strain distribution and structural characterization of short period GaAsGaP strained superlattices by raman and X-Ray scatteringRecio Segoviano, Miguel; Armelles Reig, Gaspar CSIC ORCID; Ruiz, A.; Mazuelas Esteban, Ángel José; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1993Structural and optical characterization of alternately strained GaAs/GaP/GaAs/InP superlattices grown by atomic layer molecular beam epitaxyMazuelas Esteban, Ángel José; Meléndez Sánchez, Juan; Domínguez, P. S.; Garriga, M.; Ballesteros, Carmen; Gerthsen, D.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1993Structural characterization of GaAs/GaP superlattices.Mazuelas Esteban, Ángel José; Ruiz, A.; Ponce, F. A.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1993Structural characterization of highly strained InAs N monolayer lasers and quantum well structures by X-ray diffraction and transmission electron microscopyMazuelas Esteban, Ángel José; Molina, Sergio I.; Aragón, G.; Meléndez Sánchez, Juan; Dotor, María Luisa CSIC ORCID; Huertas, P.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
openAccessJApplPhys_72_2528.pdf.jpg1992X-ray characterization of InAs laser structures grown by molecular beam epitaxyMazuelas Esteban, Ángel José; Meléndez Sánchez, Juan; Dotor, María Luisa CSIC ORCID; Huertas, P.; Garriga, M.; Golmayo, Dolores CSIC; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDartículo
closedAccess1992X-ray diffraction determination of critical thickness of InAs and InP on GaAs grown by atomic layer molecular beam epitaxyMazuelas Esteban, Ángel José; González Sotos, Luisa; Tapfer, L.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC ORCIDcomunicación de congreso