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Navegación por Autor González Sotos, Luisa

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closedAccessabr-1981A charge density wave model for reconstructed monolayers of Co on Cu(100)González Sotos, Luisa ; Ferrer, S. ; Salmerón, Miquel; Vergés, José A. ; Ynduráin, FélixArtículo
closedAccessnov-1996A General Approach to Measurement of Band Offsets of Near-GaAs AlloysWhitaker, M. F.; González Sotos, Luisa Artículo
openAccessj_crystal_growth_227_36_2001.pdf.jpgjul-2001A growth method to obtain flat and relaxed In0.2Ga0.8As on GaAs (0 0 1) developed through in situ monitoring of surface topography and stress evolutionGonzález Sagardoy, María Ujué ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Calleja, Montserrat  ; Silveira, Juan Pedro ; García Martínez, Jorge Manuel  ; Briones Fernández-Pola, Fernando Comunicación de congreso
closedAccessjul-2008A Method to Determine the Strain and Nucleation Sites of Stacked Nano-ObjectsMolina, Sergio I.; Varela, María; Ben, Teresa; Sales, David L.; Pizarro, J.; Galindo, P. L.; Fuster, David ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Pennycook, Stephen J.Artículo
closedAccessdic-1994A study of the defect structure in GaAs layers grown at low and high temperatures on Si(001) substratesAragón, G.; Molina, Sergio I.; Pacheco, F. J.; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; García, RafaelComunicación de congreso
closedAccess1993A Study of the Defect Structure in GaAS1−xPx/GaAs AS x<0.25Aragón, G.; Castro, M. J. de; Molina, Sergio I.; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; García, RafaelComunicación de congreso
closedAccess1993A study of the evolution process of antiphase boundaries in GaAs on SiMolina, Sergio I.; Aragón, G.; García, Rafael; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccess1-jul-1982A thermal desorption study of the adsorption of CO on Fe(110); enhancement of dissociation by surface defectsGonzález Sotos, Luisa ; Miranda, Rodolfo; Ferrer, S. Artículo
closedAccessfeb-1997Advantages of thin interfaces in step-graded buffer structuresGonzález, David; Araújo, D.; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda ; Aragón, G.; García, RafaelComunicación de congreso
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg30-abr-2002AFM and TEM study of the lateral composition modulation in etched and photo etched InxGa1−xP epitaxial layersEremenko, V.; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda ; Vdovin, V.; Vázquez, Luis ; Aragón, G.; Herrera, Miriam; Briones Fernández-Pola, Fernando Póster
closedAccessene-1995Atomic core structure of Lomer dislocation at GaAs/(001)Si interfaceVilà, A.; Cornet, A.; Morante, J. R.; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Ruterana, P.Artículo
closedAccess1989Atomic layer MBE growth and characterization of AlAs/InAs strained layer superlattices on GaAsGonzález Sotos, Luisa ; Ruiz, A.; Mazuelas Esteban, Ángel José ; Armelles Reig, Gaspar ; Recio Segoviano, Miguel ; Briones Fernández-Pola, Fernando Comunicación de congreso
closedAccessdic-1989Atomic layer molecular beam epitaxy (Almbe) of III–V compounds: Growth modes and applicationsBriones Fernández-Pola, Fernando ; González Sotos, Luisa ; Ruiz, A.Artículo
closedAccess1995Atomic layer molecular beam epitaxy growth of GaAs1−xPx layers: Study of P2 incorporation by the reflectance difference techniqueGonzález Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessnov-1989Atomic layer molecular beam epitaxy growth of InAs on GaAs substratesRuiz, A.; González Sotos, Luisa ; Mazuelas Esteban, Ángel José ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccess1-jun-1990Atomic layer molecular beam epitaxy of InAs/A1As heterostructuresVázquez, M.; Silveira, Juan Pedro ; González Sotos, Luisa ; Pérez, M.; Armelles Reig, Gaspar ; Miguel, José Luis de; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccessphysica%20status%20solidi%20a_178_571_2000_pre.pdf.jpgmar-2000Band Alignments in InxGa1–xP/GaAs Heterostructures Investigated by Pressure ExperimentsMartínez-Pastor, Juan; Camacho, J.; Rudamas, C.; Cantarero, Andrés; González Sotos, Luisa ; Syassen, K.Artículo
openAccessNowak, A. K. et al Phys. Rev. B_83_2011.pdf.jpg28-jun-2011Band-gap renormalization in InP/GaxIn1-xP quantum dotsNowak, A. K.; Gallardo, E.; Meulen, H. P. van der; Calleja, J. M.; Ripalda, José María  ; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda Artículo
openAccessGetPDFServlet.pdf.jpg25-sep-2008Carrier recombination effects in strain compensated quantum dot stacks embedded in solar cellsAlonso-Álvarez, Diego ; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María  ; Alén, Benito ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; García Martínez, Jorge Manuel  ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I.Artículo
closedAccessabr-2002Carrier Recombination in InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots under Resonant Excitation ConditionsRudamas, C.; Martínez-Pastor, Juan; García-Cristobal, Alberto; Roussignol, Philippe; García Martínez, Jorge Manuel  ; González Sotos, Luisa Artículo