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Navegación por Autor Brosselard, P.
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Derechos | Preview | Fecha Public. | Título | Autor(es) | Tipo |
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openAccess | 2009 | GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor inversion channel mobility modeling | Pérez-Tomás, A.; Placidi, A.; Perpiñà, X.; Constant, A.; Godignon, Philippe; Jordà, Xavier; Brosselard, P.; Millán, José | artículo | |
closedAccess | jul-2011 | SiC Schottky Diodes for Harsh Environment Space Applications | Godignon, Philippe; Jordà, Xavier; Vellvehi Hernández, Miquel; Perpiñà, X.; Banu, Viorel; López, Demetrio; Barbero, Juan; Brosselard, P.; Massetti, Silvia | artículo |