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Browsing by Author Recio Segoviano, Miguel

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RightsPreviewIssue DateTitleAuthor(s)Type
closedAccess1989Atomic layer MBE growth and characterization of AlAs/InAs strained layer superlattices on GaAsGonzález Sotos, Luisa ; Ruiz, A.; Mazuelas Esteban, Ángel José ; Armelles Reig, Gaspar ; Recio Segoviano, Miguel ; Briones Fernández-Pola, Fernando comunicación de congreso
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1989Confined optical phonons in GaAs/GaP strained layer superlatticesArmelles Reig, Gaspar ; Ruiz, A.; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Recio Segoviano, Miguel artículo
closedAccess1991Determination of in-depth thermal strain distribution in Molecular Beam Epitaxy GaAs on SiGonzález Díez, Yolanda ; Mazuelas Esteban, Ángel José ; Recio Segoviano, Miguel ; González Sotos, Luisa ; Armelles Reig, Gaspar ; Briones Fernández-Pola, Fernando artículo
openAccessPhysRevB.43.2050.pdf.jpg1991Electronic structure of strained-layer AlAs/InAs (001) superlatticesArriaga, J.; Armelles Reig, Gaspar ; Muñoz, M. C.; Rodriguez, J. M.; Castrillo, Pedro ; Recio Segoviano, Miguel ; Velasco, V. R.; Briones Fernández-Pola, Fernando ; García-Moliner, F.artículo
openAccessApplPhysLett_54_804.pdf.jpg1989Folded acoustic phonons in InAs-AlAs strained-layer superlatticesRecio Segoviano, Miguel ; Armelles Reig, Gaspar ; Ruiz, A.; Mazuelas Esteban, Ángel José artículo
closedAccessJul-1987Low-Temperature Growth of AlAs/GaAs Heterostructures by Modulated Molecular Beam EpitaxyBriones Fernández-Pola, Fernando ; González Sotos, Luisa ; Recio Segoviano, Miguel ; Vázquez Villalabeitia, Manuel artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1987LOW-TEMPERATURE GROWTH OF AlAs/GaAs HETEROSTRUCTURES BY MODULATED MOLECULAR BEAM EPITAXY.Briones Fernández-Pola, Fernando ; González Sotos, Luisa ; Recio Segoviano, Miguel ; Vázquez Villalabeitia, Manuel artículo
openAccessJApplPhys_67_2044.pdf.jpg1990Optical properties of GaAs/GaP strained-layer superlatticesRecio Segoviano, Miguel ; Armelles Reig, Gaspar ; Meléndez Sánchez, Juan ; Briones Fernández-Pola, Fernando artículo
openAccessJApplPhys_72_5861.pdf.jpg1992Photoluminescence characterization of GaAs quantum well laser structure with AlAs/GaAs superlattices waveguideDotor, María Luisa ; Recio Segoviano, Miguel ; Golmayo, Dolores ; Briones Fernández-Pola, Fernando artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1989Photoluminescence study of type I and type II GaAs/GaP strained-layer superlattices grown on GaAs substratesArmelles Reig, Gaspar ; Recio Segoviano, Miguel ; Meléndez Sánchez, Juan ; Ruiz, A.; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Khirouni, Kamel; Barrau, Jeanartículo
openAccessPhysRevB.40.8573.pdf.jpg1989Raman scattering of InAs/AlAs strained-layer superlatticesArmelles Reig, Gaspar ; Recio Segoviano, Miguel ; Rodriguez, J. M.; Briones Fernández-Pola, Fernando artículo
openAccessPhysRevB.45.9054.pdf.jpg1992Raman-scattering study of GaP/InP strained-layer superlatticesAlonso, M. I.; Castrillo, Pedro ; Armelles Reig, Gaspar ; Ruiz, A.; Recio Segoviano, Miguel ; Briones Fernández-Pola, Fernando artículo
openAccessPRB_RamanAlAs-InAs.pdf.jpg1991Resonant Raman scattering around the E0 transition of AlAs/InAs strained-layer superlatticesArmelles Reig, Gaspar ; Castrillo, Pedro ; Recio Segoviano, Miguel ; Sanjuán, M. L.; Arriaga, J.; Silveira, Juan Pedro ; Vázquez, M.; Briones Fernández-Pola, Fernando artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1990Strain distribution and structural characterization of short period GaAsGaP strained superlattices by raman and X-Ray scatteringRecio Segoviano, Miguel ; Armelles Reig, Gaspar ; Ruiz, A.; Mazuelas Esteban, Ángel José ; Briones Fernández-Pola, Fernando artículo