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Navegación por Autor Asensio, María C.

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openAccessValbunea_PhysRevB_2019_editorial.pdf.jpg8-feb-2019Polarization dependence of angle-resolved photoemission with submicron spatial resolution reveals emerging one-dimensionality of electrons in NbSe3Valbuena, Miguel Ángel Rodríguez; Chudzinski, Piotr; Pons, Stéphane; Conejeros, Sergio; Alemany, Pere; Canadell, Enric CSIC ORCID; Berger, Helmuth; Frantzeskakis, Emmanouil; Ávila, José CSIC ORCID; Asensio, María C. CSIC ORCID; Giamarchi, Thierry; Grioni, Marcoartículo
openAccessJAMartinG.pdf.jpg1998Semiconductor-metal transition of the single-domain K/Si(100)-(2×1) interface by Fermi-surface determinationMartín-Gago, José A. CSIC ORCID ; Asensio, María C. CSIC ORCID; Aebi, P.; Fasel, Román; Naumović, D.; Osterwalder, J.; Refolio, M. C.; López Sancho, José María ; Rubio, J.artículo
openAccessZribi_Strong_2D_Mat_and_Applications_s41699-019-0109-3.pdf.jpg2019Strong interlayer hybridization in the aligned SnS2/WSe2 hetero-bilayer structureZribi, Jihene; Khalil, Lama; Zheng, Biyuan; Avila, José; Pierucci, Debora; Brulé, Thibault; Chaste, Julien CSIC ORCID; Lhuillier, Emmanuel; Asensio, María C. CSIC ORCID; Pan, Anlian; Ouerghi, Abdelkarimartículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg2019Visualizing the Effect of an Electrostatic Gate with Angle-Resolved Photoemission SpectroscopyJoucken, F.; Avila, J.; Ge, Z.; Quezada-Lopez, E.A.; Yi, H.; Le Goff, R.; Baudin, E.; Davenport, J.L.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Asensio, María C. CSIC ORCID; Velasco, J.artículo
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