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Invitar a revisión por pares abierta
Título

Double resonance Raman effects in InN nanowires

AutorDomènech-Amador, Núria CSIC; Cuscó, Ramón CSIC ORCID ; Calarco, R.; Yamaguchi, T.; Nanishi, Y.; Artús, Lluís CSIC ORCID
Fecha de publicación2012
EditorWiley-VCH
CitaciónPhysica Status Solidi - Rapid Research Letetrs 6: 160- 162 (2012)
ResumenWe study the excitation wavelength dependence of the Raman spectra of InN nanowires. The E 1(LO) phonon mode, which is detected in backscattering configuration because of light entering through lateral faces, exhibits an upward frequency shift that can be explained by Martin's double resonance. The E 1(LO)/E 2 h intensity ratio increases with the excitation wavelength more rapidly than the A 1(LO)/E 2 h ratio measured in InN thin films. © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/88482
DOI10.1002/pssr.201206057
Identificadoresdoi: 10.1002/pssr.201206057
issn: 1862-6254
Aparece en las colecciones: (Geo3Bcn) Artículos




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